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DSS3540M-7B Especificaciones técnicas

TRANS PNP 40V 0.5A DFN1006-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 250mW
Package / Case 3-UFDFN
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Otros incluyen   "DSS35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DSS35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DSS3510M-7B Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 912
DSS3515M-7 DIODES CIs Calientes Especializados 31725
DSS3515M-7B Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2693
DSS3540M-7 DIODES CIs Calientes Especializados 9311

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