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DRDNB16W-7 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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Otros incluyen   "DRDNB"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DRDNB' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DRDNB21D-7 Diodes Incorporated PMIC - Interruptores de Distribución de Energía, Controladores de Carga 3320
DRDNB26W-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2586

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