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DMTH6010LK3-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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DMTH6010LK3-13 Documentos

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Otros incluyen   "DMTH6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMTH6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMTH6002LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2789
DMTH6004LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525
DMTH6004LPS-13 IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 586
DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2617
DMTH6004SCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2722
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
DMTH6004SCTBQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2961
DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2784

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