DMT6016LFDF-7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-UDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 820mW (Ta)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10146
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5348
DMT6004SCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2657
DMT6004SPS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMT6004SPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16294
DMT6005LCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2563
DMT6005LFG-13 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 9203
DMT6005LFG-7 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 4354
DMT6005LPS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2804

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