DMS3012SFG-7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.7nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4310pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMS3012SFG DIODES CIs Calientes Especializados 16142
DMS3012SFG-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
DMS3014SFG DIODES CIs Calientes Especializados 13144
DMS3014SFG-13 DIODES CIs Calientes Especializados 23310
DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2642
DMS3014SFGQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2546
DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2751
DMS3014SSS D CIs Calientes Especializados 18974
DMS3014SSS MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19418
DMS3014SSS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 47063

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