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DMP1080UCB4-7 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -6V
Supplier Device Package U-WLB1010-4
Power Dissipation (Max) 820mW (Ta)
Package / Case 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Otros incluyen   "DMP10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMP10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMP1005UFDF Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMP1005UFDF-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30351
DMP1005UFDF-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2709
DMP1009UFDF Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMP1009UFDF-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
DMP1009UFDF-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2507
DMP1011LFV-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMP1011LFV-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2689
DMP1011UCB9-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 92635
DMP1012UCB9 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3704

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