DMNH4011SK3-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252
Power Dissipation (Max) 2.6W (Ta)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1405pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMNH4005SCT Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2597
DMNH4005SCTQ Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2555
DMNH4006SK3 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 12500
DMNH4006SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
DMNH4006SK3Q-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2533
DMNH4011SK3 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 12500
DMNH4011SK3Q Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 12500
DMNH4011SK3Q-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2667

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