DMN63D8L-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23.2pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN6308LDW-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 3000
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 60293
DMN63D1L Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 140491
DMN63D1L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12808
DMN63D1LDW Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2635
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 13440
DMN63D1LDW-7-F Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3000
DMN63D1LT Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000

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