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DMN63D1LW-7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-323
Power Dissipation (Max) 310mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 380mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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DMN63D1LW-7 Documentos

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Otros incluyen   "DMN63"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN63' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN6308LDW-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 3000
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 60293
DMN63D1L Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 140491
DMN63D1L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12808
DMN63D1LDW Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2635
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 13440
DMN63D1LDW-7-F Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3000
DMN63D1LT Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000

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