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DMN61D8LVT-13 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSOT-26
Power - Max 820mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 630mA
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Otros incluyen   "DMN61"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN61' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN6140L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2324
DMN6140L-13 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2472
DMN6140L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5286
DMN6140L-7 IC DIODEOS CIs Calientes Especializados 2414
DMN6140L-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3413
DMN6140LQ Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 93000
DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11323
DMN61D8L Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMN61D8L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777

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