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DMN60H4D5SK3-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 22 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 273.5pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 2.5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
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Otros incluyen   "DMN60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN600V-7 DIODES CIs Calientes Especializados 6250
DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20575
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
DMN6013LFGQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9334
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10361
DMN601DMK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 60209
DMN601DMK-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 12360
DMN601DWK 109K CIs Calientes Especializados 34
DMN601DWK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1373

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