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DMN6068SE-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 502pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "DMN60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN600V-7 DIODES CIs Calientes Especializados 6250
DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20575
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
DMN6013LFGQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9334
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10361
DMN601DMK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 60209
DMN601DMK-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 12360
DMN601DWK 109K CIs Calientes Especializados 34
DMN601DWK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1373

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