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DMN32D4SDW-13 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SOT-363
Power - Max 290mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 650mA
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Otros incluyen   "DMN32"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN32' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN3200U Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 45
DMN3200U-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 148260
DMN3200U-7 IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 6301
DMN3200U-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 30387
DMN3202LFB4-7 DIODES CIs Calientes Especializados 2514
DMN3270UVT-13 Diodes Incorporated Matrices de transistores MOSFETs
DMN3270UVT-7 Diodes Incorporated Matrices de transistores MOSFETs
DMN32D2CFB4-7B Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 635
DMN32D2L Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2263
DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 12428

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