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DMN3008SFG-7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 13.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3690pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.6A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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DMN3008SFG-7 Documentos

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Otros incluyen   "DMN30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN3005LK3 DIODES CIs Calientes Especializados 6809
DMN3005LK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25868
DMN3005LSS-13 DIODES CIs Calientes Especializados 3975
DMN3006LSS-13 DIODES CIs Calientes Especializados 2814
DMN3007LSS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 80281
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 73005
DMN3007LSS-13 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2021
DMN3007LSS-13 SOP8 DIODES CIs Calientes Especializados 2690
DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 786

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