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DMN2075UDW-7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 594.3pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-363
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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DMN2075UDW-7 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DMN2075UDW-7

Otros incluyen   "DMN20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN2004DMK DIODES CIs Calientes Especializados 2537
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7010
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 489097
DMN2004DWK-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 7179
DMN2004DWK-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 3000
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3438
DMN2004K-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5225
DMN2004K-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 6211
DMN2004K-7-F GC CIs Calientes Especializados 72975
DMN2004TK D CIs Calientes Especializados 35500

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