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DMN2024UVT-13 Especificaciones técnicas

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 22 Weeks
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 647pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V
FET Feature Standard
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Las siguientes partes incluyen  'DMN20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN2004DMK DIODES CIs Calientes Especializados 2537
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7010
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 489097
DMN2004DWK-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 7179
DMN2004DWK-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 3000
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3438
DMN2004K-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5225
DMN2004K-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 6211
DMN2004K-7-F GC CIs Calientes Especializados 72975
DMN2004TK D CIs Calientes Especializados 35500

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