DMN10H170SK3Q-13 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DMN10H170SK3Q-13DITR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN100-7 DIODES CIs Calientes Especializados 12814
DMN100-7-F Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16561
DMN100-7-F IC DIDOES CIs Calientes Especializados 2148
DMN100-7-F MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 93294
DMN100-7-F-F DIODES CIs Calientes Especializados 3500
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 13739
DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2504
DMN1004UFDF-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
DMN1004UFDF-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMN1004UFV Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000

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