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DMN1008UFDF-7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH30V SC-59

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 995pF @ 6V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 12V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.4nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.2A (Ta)
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DMN1008UFDF-7 Documentos

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Otros incluyen   "DMN10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMN10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMN100-7 DIODES CIs Calientes Especializados 12814
DMN100-7-F Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16561
DMN100-7-F IC DIDOES CIs Calientes Especializados 2148
DMN100-7-F MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 93294
DMN100-7-F-F DIODES CIs Calientes Especializados 3500
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 13739
DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2504
DMN1004UFDF-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
DMN1004UFDF-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
DMN1004UFV Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000

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