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DMG8N65SCT
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DMG8N65SCT Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 4A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 22 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1217pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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