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DMG6898LSD-13 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Power - Max 1.28W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A
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Otros incluyen   "DMG68"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMG68' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMG6898LSD D CIs Calientes Especializados 10526
DMG6898LSD MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18870
DMG6898LSDQ D CIs Calientes Especializados 19385
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2757
DMG6898LSS-13 Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2586

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