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DMG4N60SJ3
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DMG4N60SJ3 Especificaciones técnicas
MOSFET NCH 600V 3A TO251
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 532pF @ 25V |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | TO-251 |
Power - Max | 41W |
Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DMG4N" partes
Las siguientes partes incluyen 'DMG4N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DMG4N60SCT | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2652 |
DMG4N60SK3-13 | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2757 |
DMG4N65CT | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 17400 |
DMG4N65CTI | Diodes Incorporated | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1661 |
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