DMG4822SSD-13 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 478.9pF @ 16V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Power - Max 1.42W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12241
DMG4800LK-13 DIODES CIs Calientes Especializados 2979
DMG4800LK3 DIODES CIs Calientes Especializados 18772
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10388
DMG4800LSD DIODES CIs Calientes Especializados 28134
DMG4800LSD MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 80335
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2278
DMG4800LSD-13 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 2983
DMG4800LSD-13-F DIODES CIs Calientes Especializados 3023
DMG4800LSDQ VB CIs Calientes Especializados 15868

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