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DMG2305UX-7 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 808pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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DMG2305UX-7 Documentos

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Otros incluyen   "DMG23"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DMG23' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DMG2301L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2638
DMG2301L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2320
DMG2301L-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 6396
DMG2301LK Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMG2301LK-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2683
DMG2301LK-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3222
DMG2301U Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 90000
DMG2301U-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 292002
DMG2301U-7 MOS Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3323
DMG2301U-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 3449

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