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DDTD114TU-7-F Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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DDTD114TU-7-F Documentos

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Otros incluyen   "DDTD1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DDTD1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3370
DDTD113EU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 15000
DDTD113ZC DIODES CIs Calientes Especializados 2639
DDTD113ZC-7 IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 50352
DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1451
DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3102
DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 23638
DDTD114ECA Original CIs Calientes Especializados 9000
DDTD114EU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 12270
DDTD114GC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3000

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