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DDTB142TC-7 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 470
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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DDTB142TC-7 Documentos

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Otros incluyen   "DDTB1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DDTB1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDTB113EC-7 DIODES CIs Calientes Especializados 2794
DDTB113EC-7-7 DIODES CIs Calientes Especializados 3000
DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 9254
DDTB113EU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 12000
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2473
DDTB113ZU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3463
DDTB114EC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 20500
DDTB114EC-7-F IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 12420
DDTB114EU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 9211
DDTB114GC-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2531

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