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DDTA123JUA-7 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SOT-323
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DDTA123JUA-7 Documentos

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Otros incluyen   "DDTA1"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDTA113TCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2645
DDTA113TCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 32649
DDTA113TE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2607
DDTA113TE-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42277
DDTA113TKA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2901
DDTA113TUA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2617
DDTA113TUA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 24274
DDTA113ZCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2571
DDTA113ZCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1270
DDTA113ZE-13-F DIODES CIs Calientes Especializados 100327

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