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DDTA114TE-7-F Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-523
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package SOT-523
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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DDTA113TCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 32649
DDTA113TE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2607
DDTA113TE-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42277
DDTA113TKA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2901
DDTA113TUA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2617
DDTA113TUA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 24274
DDTA113ZCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2571
DDTA113ZCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1270
DDTA113ZE-13-F DIODES CIs Calientes Especializados 100327

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