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DDA143TK-7-F Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case SOT-23-6
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA
Supplier Device Package SOT-26
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDA142JH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2613
DDA142JU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2613
DDA142TH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2604
DDA142TU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2749
DDA143EH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2585
DDA143TH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2711
DDA143TU-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 1765
DDA143TU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3470
DDA143TU-7-F IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 33410
DDA143TUQ-7-F DIODES CIs Calientes Especializados 84438

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