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DDA114EU-7 Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DDA114EU-7 Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DDA113TU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 1441
DDA114EDJ-7 DIODES CIs Calientes Especializados 40370
DDA114EH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 12448
DDA114EK-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2756
DDA114EU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2580
DDA114TH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 30330
DDA114TK-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2763
DDA114TU-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3407
DDA114TU-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 4451
DDA114YH-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 33408

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