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BCV29TA Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-89

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 1W
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package SOT-89-3
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Otros incluyen   "BCV29"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BCV29' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCV29 PHI CIs Calientes Especializados 23005
BCV29 E-6327 SIEMENS CIs Calientes Especializados 2693
BCV29 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 964
BCV29,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2772
BCV29,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BCV29E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2700
BCV29E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT individuales
BCV29H6327 INFIN CIs Calientes Especializados 126000
BCV29H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2508
BCV29H6327XTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT individuales

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