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ACX114EUQ-13R Especificaciones técnicas

PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 270mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY, BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
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Las siguientes partes incluyen  'ACX11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ACX114EUQ-7R Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 1421
ACX114YUQ-13R Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2664
ACX114YUQ-7R Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 53145
ACX115EUQ-13R Diodes Incorporated Matrices de transistores BJT
ACX115EUQ-7R Diodes Incorporated Matrices de transistores BJT

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