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2N7002TA Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3
Power Dissipation (Max) 330mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N7000 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 61787
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2253
2N7000 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 61847
2N7000 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
2N7000 IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 397
2N7000 MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 1843
2N7000,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
2N7000-D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 160397
2N7000-D26Z ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
2N7000-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2764

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