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S34MS08G201BHB000
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S34MS08G201BHB000 Especificaciones técnicas
IC FLASH 8G PARALLEL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Technology | FLASH - NAND |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 45ns |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Series | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 8Gb (1G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 45ns |
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Las siguientes partes incluyen 'S34MS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S34MS01G100BHB000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2589 |
S34MS01G100BHB003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2739 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 5313 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S34MS01G100BHI003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 5470 |
S34MS01G100BHI900 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2693 |
S34MS01G104BHB010 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2713 |
S34MS01G104BHB013 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2704 |
S34MS01G104BHB080 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2771 |
S34MS01G104BHI010 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2529 |
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