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S34MS01G200BHB000 Especificaciones técnicas

IC FLASH 1G PARALLEL

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 45ns
Technology FLASH - NAND
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 45ns
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Series Automotive, AEC-Q100, MS-2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 1Gb (128M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 45ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
S34MS01G100BHB000 Cypress Semiconductor Memoria 2589
S34MS01G100BHB003 Cypress Semiconductor Memoria 2739
S34MS01G100BHI000 Cypress Semiconductor Memoria 5313
S34MS01G100BHI000 Cypress Semiconductor Corp Memoria
S34MS01G100BHI003 Cypress Semiconductor Memoria 5470
S34MS01G100BHI900 Cypress Semiconductor Memoria 2693
S34MS01G104BHB010 Cypress Semiconductor Memoria 2713
S34MS01G104BHB013 Cypress Semiconductor Memoria 2704
S34MS01G104BHB080 Cypress Semiconductor Memoria 2771
S34MS01G104BHI010 Cypress Semiconductor Memoria 2529

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S34MS01G200BHB000 fabricantes de marca: Cypress Semiconductor, Bonchip existencias, S34MS01G200BHB000 precio de referencia. S34MS01G200BHB000 parámetros, S34MS01G200BHB000 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el S34MS01G200BHB000 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar S34MS01G200BHB000 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, S34MS01G200BHB000 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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