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S34ML01G200BHI900
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S34ML01G200BHI900 Especificaciones técnicas
IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND |
Series | ML-2 |
Package / Case | 63-VFBGA |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 1Gb (128M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 63-BGA (11x9) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 63-BGA (11x9) |
Packaging | Tray |
Other Names | 428-4246 S34ML01G200BHI900-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
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Otros incluyen "S34ML" partes
Las siguientes partes incluyen 'S34ML'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S34ML01G100BHA000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 0 |
S34ML01G100BHA003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2752 |
S34ML01G100BHB000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2606 |
S34ML01G100BHB000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S34ML01G100BHB003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2786 |
S34ML01G100BHI00 | SPANSION | CIs Calientes Especializados | 2550 |
S34ML01G100BHI00 IC | Spansion (Cypress Semiconductor) | CIs Calientes Especializados | 723 |
S34ML01G100BHI000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 31062 |
S34ML01G100BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S34ML01G100BHI000 IC | Spansion (Cypress Semiconductor) | CIs Calientes Especializados | 681 |
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