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S29WS512P0SBFW000
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S29WS512P0SBFW000 Especificaciones técnicas
IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 60ns |
Technology | FLASH - NOR |
Series | WS-P |
Package / Case | 84-VFBGA |
Operating Temperature | -25°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512Mb (32M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 80MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Supplier Device Package | 84-FBGA (11.6x8) |
Packaging | Tray |
Other Names | 428-4477 S29WS512P0SBFW000-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Manufacturer Standard Lead Time | 15 Weeks |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 80MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8) |
Access Time | 80ns |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S29WS064RABBHI000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2542 |
S29WS064RABBHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29WS064RABBHI010 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2545 |
S29WS064RABBHI010 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29WS064RABBHW000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2613 |
S29WS064RABBHW000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29WS064RABBHW010 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2792 |
S29WS064RABBHW010 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29WS128J0PBAI000 | Spansion (Cypress Semiconductor) | CIs Calientes Especializados | 500 |
S29WS128J0PBFW010 | SPANSIO | CIs Calientes Especializados | 2086 |
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