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S27KS0641DPBHI020
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S27KS0641DPBHI020 Especificaciones técnicas
IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | DRAM |
Series | HyperRAM™ |
Package / Case | 24-TBGA |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 64Mb (8M x 8) |
Memory Format | DRAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 166MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Supplier Device Package | 24-BGA (6x8) |
Packaging | Tray |
Other Names | 428-3858 |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Manufacturer Standard Lead Time | 15 Weeks |
Detailed Description | DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8) |
Access Time | 40ns |
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Las siguientes partes incluyen 'S27KS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S27KS0641DPBHA020 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2669 |
S27KS0641DPBHA020 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S27KS0641DPBHB020 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2599 |
S27KS0641DPBHB020 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S27KS0641DPBHB023 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2574 |
S27KS0641DPBHI020 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S27KS0641DPBHI023 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2679 |
S27KS0641DPBHI023 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S27KS0641DPBHV020 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2725 |
S27KS0641DPBHV020 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria |
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