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IS29GL512S-11DHV02
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IS29GL512S-11DHV02 Especificaciones técnicas
IC FLASH 512M PARALLEL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 60ns |
Technology | FLASH - NOR |
Series | GL-S |
Package / Case | 64-LBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 110ns |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 64-Fortified BGA (9x9) |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512Mb (64M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (9x9) |
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Las siguientes partes incluyen 'IS29G'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IS29GL01GS-11DHB01 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2541 |
IS29GL01GS-11DHB01-TR | Cypress Semiconductor | Memoria | 2748 |
IS29GL01GS-11DHB010 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2698 |
IS29GL01GS-11DHB013 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2585 |
IS29GL01GS-11DHB02 | Cypress Semiconductor | Memoria | 0 |
IS29GL01GS-11DHB02-TR | Cypress Semiconductor | Memoria | 2526 |
IS29GL01GS-11DHB020 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2625 |
IS29GL01GS-11DHB023 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2666 |
IS29GL01GS-11DHV01 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2524 |
IS29GL01GS-11DHV01-TR | Cypress Semiconductor | Memoria | 2612 |
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