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CY7S1041G30-10ZSXIT
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CY7S1041G30-10ZSXIT Especificaciones técnicas
IC SRAM 4M PARALLEL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
Technology | SRAM - Asynchronous |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
Memory Format | SRAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 10ns |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.2 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 44-TSOP II |
Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Manufacturer Standard Lead Time | 10 Weeks |
Detailed Description | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II |
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Las siguientes partes incluyen 'CY7S1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
CY7S1041G-10ZSXI | Cypress Semiconductor | Memoria | 2789 |
CY7S1041G-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
CY7S1041G-10ZSXIT | Cypress Semiconductor | Memoria | 2631 |
CY7S1041G30-10BVXI | Cypress Semiconductor | Memoria | 2707 |
CY7S1041G30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
CY7S1041G30-10BVXIT | Cypress Semiconductor | Memoria | 2569 |
CY7S1041G30-10VXI | Cypress Semiconductor | Memoria | 2599 |
CY7S1041G30-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
CY7S1041G30-10VXIT | Cypress Semiconductor | Memoria | 2535 |
CY7S1041G30-10ZSXI | Cypress Semiconductor | Memoria | 2773 |
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