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CY62147GE-45ZSXIT
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CY62147GE-45ZSXIT Especificaciones técnicas
IC SRAM 4M PARALLEL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Technology | SRAM - Asynchronous |
Series | MoBL® |
Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Manufacturer Standard Lead Time | 10 Weeks |
Detailed Description | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 4.5 V ~ 5.5 V |
Supplier Device Package | 44-TSOP II |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
Memory Format | SRAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 45ns |
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Otros incluyen "CY621" partes
Las siguientes partes incluyen 'CY621'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
CY62126BVLL-55ZI | CYPRESS | CIs Calientes Especializados | 5782 |
CY62126DV30L-55BVI | CY | CIs Calientes Especializados | 2550 |
CY62126DV30L-55BVXE | Cypress Semiconductor | Memoria | 2797 |
CY62126DV30L-55BVXE | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
CY62126DV30L-55BVXET | Cypress Semiconductor | Memoria | 2568 |
CY62126DV30L-55ZSXE | Cypress Semiconductor | Memoria | 2642 |
CY62126DV30L-55ZSXE | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
CY62126DV30L-55ZSXET | Cypress Semiconductor | Memoria | 2732 |
CY62126DV30LL-55BVI | Cypress Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 363 |
CY62126DV30LL-55BVXI | Cypress Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 447 |
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