C2M1000170J Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Cree Wolfspeed
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 500µA (Typ)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C2M™
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
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C2M1000170D Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
C2M1000170D Cree Wolfspeed Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2649
C2M1000170J Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
C2M1000170J-TR Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
C2M1000170J-TR Cree Wolfspeed Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0

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