C2M0080170P Especificaciones técnicas

ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Cree Wolfspeed
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C2M™
Power Dissipation (Max) 277W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 28A, 20V
Package / Case TO-247-4
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description N-Channel 1700V 40A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
C2M0025120D Cree Wolfspeed Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2997
C2M0025120D Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2205
C2M0040120D Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1373
C2M0040120D Cree Wolfspeed Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2859
C2M0045170D Cree Wolfspeed Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2954
C2M0045170D Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5444
C2M0045170P Cree Wolfspeed Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661
C2M0080120 Cree CIs Calientes Especializados 15
C2M0080120D Cree Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2281
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