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CDBJFSC8650-G Especificaciones técnicas

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Comchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Supplier Device Package TO-220F
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Other Names 641-1937
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220F
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CDBJFSC101200-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores - Individual 2693
CDBJFSC10650-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores - Individual 500
CDBJFSC3650-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores - Individual 2568
CDBJFSC5650-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores - Individual 2757

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