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TIP35C SL Especificaciones técnicas

TRANS GENERAL PURPOSE TO-218

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 125W
Package / Case TO-218-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 15A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 25A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-218
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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TIP35C SL Documentos

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Otros incluyen   "TIP35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TIP35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TIP35-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2697
TIP35-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
TIP35A Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2539
TIP35A Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
TIP35A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
TIP35A-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2693
TIP35A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
TIP35AG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2722
TIP35AG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
TIP35B Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3100

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