CZT5551E BK Especificaciones técnicas

TRANS PNP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CZT5551 Original CIs Calientes Especializados 482
CZT5551 80-250 Cj CIs Calientes Especializados 50628
CZT5551 BK Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2505
CZT5551 MCU Central Semiconductor CIs Calientes Especializados 643
CZT5551 MOS CJ CIs Calientes Especializados 2884
CZT5551 TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 31940
CZT5551 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
CZT5551-LF CENTRAL CIs Calientes Especializados 2720
CZT5551E TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2663
CZT5551TR CENTRAL CIs Calientes Especializados 32062

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