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CXT5551E BK Especificaciones técnicas

TRANS PNP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.2W
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-89
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Otros incluyen   "CXT55"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CXT5551 Original CIs Calientes Especializados 1412
CXT5551 1G6 Original CIs Calientes Especializados 4500
CXT5551 TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1464
CXT5551 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
CXT55511G6 CJ CIs Calientes Especializados 4000
CXT5551E TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2632
CXT5551ETR CENTRAL CIs Calientes Especializados 2730
CXT5551TR CRNTRAL CIs Calientes Especializados 30283

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