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CXDM1002N TR
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CXDM1002N TR Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 2A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | 20V |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
CXDM1002N | CENTRAL/CC | CIs Calientes Especializados | 1383 |
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