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CP647-MJ11015-WR
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CP647-MJ11015-WR Especificaciones técnicas
TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30A, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Supplier Device Package | Die |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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Otros incluyen "CP647" partes
Las siguientes partes incluyen 'CP647'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
CP647-2N6287-CM | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2538 |
CP647-2N6287-CT | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2504 |
CP647-2N6287-WN | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2599 |
CP647-CEN1103-CT | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2792 |
CP647-CEN1103-WN | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2693 |
CP647-CEN1103-WS | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2532 |
CP647-MJ11013-CT | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2665 |
CP647-MJ11013-WS | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2649 |
CP647-MJ11015-CT | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2666 |
CP647-MJ11015-CTJ28 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2729 |
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