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CMUT5551E TR Especificaciones técnicas

TRANS PNP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220V
Transistor Type NPN
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-523
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-523
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Las siguientes partes incluyen  'CMUT5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CMUT5087E TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2795
CMUT5088E TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2608
CMUT5088E TR PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
CMUT5179 TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2586
CMUT5179 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT RF
CMUT5401 TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2666
CMUT5401 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
CMUT5401E BK Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2603
CMUT5401E TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2691
CMUT5551 TR Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2534

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