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BU408 Especificaciones técnicas

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Central Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200V
Transistor Type NPN
Power - Max 60W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Frequency - Transition 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 7A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 1.2A, 6A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Other Names BU408 PBFREE BU408CS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BU408 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3084
BU408 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1773
BU4081B LAPIS Semiconductor Lógica - Puertas y Inversores 393
BU4081B ROHM Semiconductor Puertas e Inversores
BU4081BF-E2 LAPIS Semiconductor Lógica - Puertas y Inversores 5484
BU4081BF-E2 ROHM Semiconductor Puertas e Inversores
BU4081BFV-E2 LAPIS Semiconductor Lógica - Puertas y Inversores 2428
BU4081BFV-E2 ROHM Semiconductor Puertas e Inversores
BU408D ST CIs Calientes Especializados 2609

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